PRAM gehört die Zukunft?

[Micky;Maus]

In der PCPP Ausgabe Oktober steht das Samsung davon ausgeht, dass den PRAMs die Zukunft gehört!
Diese basieren auf FLASH-Speicher. Also ich würde ja wohl doch eher behaupten, dass die Zukunft den MRAMs gehört! Diese habe eine höhere Speicherdichte und nutzen nicht die Ladung eines Elektrons sondern einen weiteren Freiheitsgrad der Elektronen, den Spin, für die Verarbeitung der Datenspeicherung. Und sie sind ebenfalls nicht flüchtig wie der PRAM.
Was denkt ihr?
Welche Speichertechnologie wird uns in den nächsten 5-10Jahren wohl erwarten?

 

[Mudsee]

In der PCPP Ausgabe Oktober steht das Samsung davon ausgeht, dass den PRAMs die Zukunft gehört!
Diese basieren auf FLASH-Speicher. Also ich würde ja wohl doch eher behaupten, dass die Zukunft den MRAMs gehört! Diese habe eine höhere Speicherdichte und nutzen nicht die Ladung eines Elektrons sondern einen weiteren Freiheitsgrad der Elektronen, den Spin, für die Verarbeitung der Datenspeicherung. Und sie sind ebenfalls nicht flüchtig wie der PRAM.
Was denkt ihr?
Welche Speichertechnologie wird uns in den nächsten 5-10Jahren wohl erwarten?

Erstmal DDR 3 und vielleicht noch DDR4 obwohl diese schon kritisch sind wenn sie nicht festgesockelt sind...

 

[Micky;Maus]

DDR3 kann wirklich der nächste Schritt in den PCs sein.
Bei Grafikkarten läuft er ja schon.
DDR4 halt ich für eher unwahrscheinlich, da Freescale schon MRAMs herstellt.

 

[Dod]

DDR3 kann wirklich der nächste Schritt in den PCs sein.
Bei Grafikkarten läuft er ja schon.
DDR4 halt ich für eher unwahrscheinlich, da Freescale schon MRAMs herstellt.

DDR4 ist sogar sehr wahrscheinlich, da auch dieser Speicher schon erfolgreich auf Grafikkarten verbaut wird. Z.B. auf ATIs neuer X1950XTX mit einem Gigahertz realtakt..

 

[Micky;Maus]

Wenn dem so ist, dann ist natürlich auch DDR4 mit im Geschäft

 

[Mudsee]

DDR3 kann wirklich der nächste Schritt in den PCs sein.
Bei Grafikkarten läuft er ja schon.
DDR4 halt ich für eher unwahrscheinlich, da Freescale schon MRAMs herstellt.

Quelle Wikipedia:
Nach jahrelanger Forschung und Entwicklung und einer langen Bemusterungsphase soll bei Freescale nun die Serienfertigung des 4-MBit-MRAMs MR2A16A anlaufen. Dieser Speicherchip ist im Vergleich zu SDR- oder DDR-SDRAMs mit etwa 25 US-Dollar sehr teuer, was seinen Einsatzbereich stark einschränkt. Ein Lese/Schreibzyklus dauert 35 ns, also um ein vielfaches länger als bei SDRAM oder gar neueren RAM-Technologien

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So wa ist schon nett aber DDRam ist noch einfacher / billiger Herzustellen und schneller wie du siehst.

Und DDR4 gibt es schon für Grafikkarten.
Intel will 2007 auf DDR3 gehen ...

Und man darf ja die Optischen und organischen Speichertechniken nicht vergessen...gelegendlich kommt ja ziemlich alles anderest als man denkt.

 

[Micky;Maus]

Da gebe ich dir recht.
Da die Zukunft aber zwangsläufig der Spintronik gehört (Stichwort Leckströme und Speicherdichte!), werden sich die MRAMs auf kurz oder lang durchsetzten.
Hohe Frequenzen bei der Umpolung eines Magnetfeldes ist nicht ein all zu großes Problem.
Aber die nächsten 5 Jahre werden die DDR sicherlich das Gebiet noch dominieren!

 

[Mudsee]

Da gebe ich dir recht.
Da die Zukunft aber zwangsläufig der Spintronik gehört (Stichwort Leckströme und Speicherdichte!), werden sich die MRAMs auf kurz oder lang durchsetzten.
Hohe Frequenzen bei der Umpolung eines Magnetfeldes ist nicht ein all zu großes Problem.
Aber die nächsten 5 Jahre werden die DDR sicherlich das Gebiet noch dominieren!

Doch ist auch bei Magnetfeldern ein Problem....denn damit erzeugst du wechselde Magnetfelder..die wiederum auf der Platine oder bei der HD für Störungen sörgen können. (Fremdinduktion)

 

[Micky;Maus]

Richtig! Die Abschirmung dürft noch so ein Problem sein.
Aber diese Nanostrukturen brauchen nur ein minimale Spannung um die Tunnelelektroden umzumagnetisieren.
Verringert wird dies auch noch wenn eine sehr dünne Tunnelbarriere von vielleicht nur wenigen Monolagen realisiert wird.

 

[Mudsee]

Richtig! Die Abschirmung dürft noch so ein Problem sein.
Aber diese Nanostrukturen brauchen nur ein minimale Spannung um die Tunnelelektroden umzumagnetisieren.
Verringert wird dies auch noch wenn eine sehr dünne Tunnelbarriere von vielleicht nur wenigen Monolagen realisiert wird.

So einfach ist das wieder nicht...du brauchst schon einiges an Energie um einen zustand zu ändern...

und magnetwellen sind nicht so einfach zu isolieren wie Strom.

Mram sehe ich eher in Kameras und in Handys...aber weniger in pc's....eher noch in Konsolen..

 

[Micky;Maus]

Beim spinabhängigen Tunnelprozess nicht wirklich. Durch ein E-Feld bzw. B-Feld (welches nicht sonderlich groß sein muss) verschieben sich die Zustandsdichten für die beiden Spinrichtungen in der einen Tunnelelektrode und dadurch ändert
sich natürlich auch die Tunnelwahrscheinlichkeit für den jeweiligen Spin.

Der GMR-Effekt wird ja nun auch schon seit über 20Jahren erfolgreich z.B. in HD-Leseköpfen verwendet.Und dafür braucht man auch elektrische Potentiale um ihn zu steuern.